Микросхема FM22L16-55-TG
О товаре
FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В.
Характеристики
- MSL(Уровень чувствительности к влажности) 3
- Бренд Cypress Semiconductor
Категории: Микросхемы памяти
Микросхема FM22L16-55-TG отзывы (0)
Написать отзывОставьте отзыв об этом товаре первым!